MOSトランジスタ

金属(電極)・酸化膜・半導体を重ねた構造で、電極にかける電圧だけで電流の通り道を開け閉めするトランジスタ。現在の半導体チップの大半がこれ。

薄い絶縁膜(酸化膜)を挟んで電極に電圧をかけると、その下の半導体に電流の通り道(チャネル)ができます。電流をほとんど使わずにスイッチできるので、大量に並べても発熱が抑えられます。1960年にベル研究所のカーンとアタラが実際に動かし、特許を取りました^[1]。

考え方そのものは1926年のリリエンフェルトの特許にありましたが、当時は材料の表面をきれいに作れず実現しませんでした。後にMOSトランジスタは、小さくするほど性能が上がる性質によって、半導体産業の主役になります^[2]。