FinFET

電流の通り道を魚のひれ(フィン)のように立てて、ゲートで3方向から挟み込む立体構造のトランジスタ。

平らなトランジスタを小さくしていくと、ゲートが通り道を制御しきれなくなり、オフのときにも電流が漏れるようになります。通り道を薄い板として立て、3方向からゲートで囲めば、制御が効きやすくなります。日立の久本大らが1980年代末に原型を示し、2000年の論文で「FinFET」として20ナノメートルまで縮められることを示しました^[1]。

2011年にIntelが22ナノメートル世代で量産に使い、以後10年あまり最先端のチップの標準構造になりました。その後継が、通り道を四方から囲むゲートオールアラウンド型です。