星屑の記録、静かに積もる。

1847 – 2035 年表

半導体 — 電気が計算になるまでの180年

論理を代数にした1847年から、原子数十個の幅で配線する現在まで

半導体の年表は、ふつう1947年のトランジスタから始まります。けれどもトランジスタが計算に使えたのは、その10年前に「電気回路のスイッチを開け閉めすることは、そのまま論理の演算である」と数学として示されていたからでした。この年表は、計算できることを保証した数学の系譜を軸の上に、それを担う素子の系譜を軸の下に並べています。ブールが論理を代数にした1847年から、原子数十個分の幅で配線する現在まで、43項目。

最終更新 2026-10-15/43 項目

理論発見マイルストーン実用化

※ 破線・白抜きの点は未達成の計画値。「要確認」は一次情報での裏取りが済んでいない項目。

縦に読む横に見る

基礎研究(理論・発見)

ブール、「正しい/正しくない」を計算できる形にする

1840

電流が片方向にしか流れない物質が見つかる

1870

1900

三極真空管 — 増幅とスイッチが同時にできる最初の素子

たった1種類の演算で、あらゆる論理が作れることの証明

1910

回路が「いまどちらの状態か」を覚えられるようになる

「電圧で電流を制御する固体素子」が特許になる — ただし作られない

1920

半導体とは何なのかが、量子力学で説明される

1930

「計算するとはどういうことか」が定義される

日本電気の中嶋章が、継電器回路を代数として扱う

スイッチのオン・オフは、そのまま論理の演算である

1935

シリコンのひび割れから、pn接合が見つかる

1940

手順そのものを、数と同じ場所に置く

接合型トランジスタ — 表面ではなく、結晶の内側で動かす

情報に単位がつく — そして「誤っても直せる」ことが示される

1945

ENIAC — 真空管でやれることの上限が見えた

点接触トランジスタ — 真空管と同じことを、固体でやる

「配線のない固体の塊」という予告

1950

ゲルマニウムからシリコンへ — 熱に耐える素子

不純物を「しみこませる」 — 層の厚さを制御できるようになる

1955

酸化膜でふたをする — 「作りたい場所にだけ作る」技術

部品も配線も、同じ一枚の上に置く

プレーナ工程 — 表面を平らなまま保つ

量産できる集積回路のかたちが決まる

1960

MOSトランジスタ — 電圧をかけるだけで通り道を開く

CMOS — 切り替わる瞬間にしか電気を食わない回路

ムーアの法則 — 予言ではなく、産業の目標になった観察

1965

1ビットを、部品2個で覚える

スケーリング則 — なぜ小さくすると「全部よくなる」のか

1970

Intel 4004 — 計算する部分が1個の部品になる

1980

日本のDRAMが世界を取り、そして貿易摩擦になる

「設計する会社」と「作る会社」を切り離す

1990

配線を銅に替える — 素子ではなく、つなぎ目が遅さの原因になっていた

電圧が下がらなくなり、うまみが消える

2000

シリコンを引き伸ばす — 寸法を変えずに速くする最初の手

2005

50年使った酸化膜をやめる

2010

トランジスタが立体になる

2015

極端紫外線リソグラフィが、ようやく工場に入る

2020

通り道を全周から囲む — ゲート全周型の量産

2025

TSMC、2ナノメートル世代の量産に入る

電源をウェハーの裏側から配る

市場が1兆ドルに届こうとしている — 牽引しているのはAI向け

高開口数EUV — 1台3億ドルを超える露光装置

2030

その次 — 2種類のトランジスタを上下に重ねる

工学・実用(マイルストーン・実用化)

← 横にスクロールできます。軸より上が基礎研究(理論・発見)、下が工学・実用(マイルストーン・実用化)。列の混み具合がそのままその時期の密度です。目盛りの刻みは項目の密度に応じて変えています。